Samsung закладывает потенциальную основу для нескольких новых полупроводниковых заводов в Техасе

Заявки являются частью программы стимулирования главы 313 штата Техас, которая предоставляет компаниям 10-летнее ограничение на налогооблагаемую стоимость имущества в обмен на установку заявителем оборудования и создание рабочих мест в пределах определенной территории. Эти предложения последовали за планами Samsung по строительству завода по производству полупроводников стоимостью 17 миллиардов долларов к северо-востоку от Остина.

Этот шаг, если он будет осуществлен, расширит производственные мощности Samsung в Техасе с двумя заводами в Остине и еще девятью в соседнем Тейлоре. Но нет никакой гарантии, что эти объекты станут реальностью. По словам Мишель Глейз из Samsung, на данный момент у компании нет конкретных планов по строительству объектов. Вместо этого заявки в главе 313 являются частью «…процесса долгосрочного планирования Samsung для оценки целесообразности потенциального строительства дополнительных заводов по производству в Соединенных Штатах». В настоящее время ни одна из заявок по главе 313 не получила окончательного одобрения.

Ожидающие рассмотрения заявки, которые могут составить почти 5 миллиардов долларов налоговых льгот для Samsung, являются основным фактором в будущем решении компании о строительстве дополнительных объектов в этом районе. Сами приложения ни в коем случае не гарантируют, что Samsung осуществит инвестиции в эту область. Неспособность обеспечить стимул может вместо этого вынудить компанию изменить свои текущие долгосрочные планы и пересмотреть более благоприятное для налогообложения местоположение.

00голоса
Оцени если понравилось
Опубликовал(а)Вячеслав Елисов
Предыдущая запись
Новая функция Google Chrome поможет сэкономить время автономной работы при большом количестве открытых вкладок
Следующая запись
Что нового в предварительной версии Windows 11 Build 25236
Подписаться
Уведомить о
guest

0 комментариев
Старые
НовыеПопулярные
Межтекстовые Отзывы
Посмотреть все комментарии
0
Оставьте комментарий! Напишите, что думаете по поводу статьи.x